精密なIR加熱による二酸化炭素削減
半導体工場で作業を行う際、温度というのは単なる設定値ではありません。それはすべてを左右する要素です。わずかな誤差があっても、そのロット全体が使い物にならなくなってしまいます。
私たちは、短波長のIR加熱が最適な方法だと気づきました。なぜでしょうか？それは、ウェーハの周囲の空気を温めることがないからです。エネルギーは直接基板に伝達されます。これこそが、電力代や二酸化炭素排出量を削減するための秘訣です。
鍵は密度にあります。
考えてみてください。高出力のIRランプを使えば、目標温度に到達するのに数秒しかかかりません。数分ではなく、数秒です。つまり、機械が暖まるのを待って時間や電力を無駄にする必要がなくなります。私たちは、シリコンが実際に吸収したい波長に合わせてこのシステムを調整しています。エネルギーは本来あるべき場所に送られ、チャンバーの壁には行きません。
ただし、いくつかの問題点もあります。
熱が四方八方に散らばらないように、クォーツ製のケースや精密な反射器を使ってビームを絞り込みます。これは非常に効果的ですが、高性能エンジンを使うようなものです。ランプのフィラメントには大きな負荷がかかります。電圧が少しでも変動すれば、予想より早くランプが壊れてしまいます。機器を長持ちさせるためには、信頼性の高い電源が必要です。
「グリーンファクトリー」実現への貢献
従来の抵抗加熱から精密なIR加熱に切り替えることは、地球にとって大きなメリットです。大量の熱を無駄にする対流型オーブンを使う必要がなくなります。すべてが高速化し、サイクルタイムが短縮され、電力代も削減されます。また、施設の冷却システムの負担も大幅に軽減されます。これはまさにウィンウィンの状況です。二酸化炭素排出量の削減目標を達成できる上、生産速度を落とす必要もありません。