在CMP工艺之后，水分和颗粒物的重新沉积仍然会导致产品良率下降。通常，造成这一问题的原因是干燥过程中的温度控制不稳定。我们设计的CMP后晶圆干燥装置旨在消除这种不稳定性，而非加剧它。
从技术层面来看，关键点在于： 我们在石英窗口后面设置了短波红外元件，这样能量就可以直接且快速地作用于晶圆上，而不会影响到基底本身。在整个工作区域内，我们能够将晶圆表面的温度控制在±0.1°C的范围内。此外，由于采用了经过校准的闭环控制系统，可以实时监控实际温度并与设定值进行对比，从而确保温度的稳定性。该设备适用于1级到100级的净化室，其材料和密封装置也经过精心设计，以确保在稳定状态下不会产生任何颗粒物。
为什么这种设计在CMP后干燥过程中有效？ 其原理很简单：就是快速、彻底地去除晶圆表面的残留物。精确的温度控制使得表面张力保持一致，从而减少缺陷的产生。
同样的稳定性也体现在光刻胶处理阶段。因为温度控制稳定，所以光刻胶的固化过程也更加稳定，从而避免出现尺寸偏差或线条边缘的不规则现象。此外，该设备可以24小时连续运行，不会出现意外停机的情况，从而保证生产速度的稳定性以及维护工作的可预见性。
需要提前了解的事项： 安装时需要确保设备的几何结构与车间环境相匹配，同时还要正确设置冷却剂和排气的接口。虽然我们会提供相关的设计图纸，但您还是需要在现场进行调试工作。
在开始批量生产之前，需要先让设备达到热平衡状态。这是为了获得所需的稳定性而必须做出的牺牲。一旦设备调整到位，它就能很好地控制温度，从而保持整个工艺流程的稳定性。